SK 海力士公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算研究成果

SK 海力士公布了利用 3D FeNAND 实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于 IEEE 论文。研究介绍，A-CiM 可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算，以减少数据搬运并提升处理速度和能效；FeNAND 可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。