热点事件持续更新

三星披露第二代8LPU+工艺指标

1 篇报道1 个报道来源4 小时前更新

先了解这件事

AI 综述

三星晶圆代工部门在提交给 IEDM 2026 的技术摘要中披露，第二代 8LPU+ 相较上一代性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%，并以 ULL-SRAM 和 cHVT 器件降低待机漏电。上述指标来自三星提交的摘要，尚未见独立验证。该平台继续使用 DUV 产线，不采用 EUV，面向边缘 AI、机器人和汽车芯片；三星计划将其作为 8 纳米工艺的扩展平台推出。

AI 根据报道生成 · 4 小时前更新

最新进展10月21日 08:00

三星计划推出第二代 8LPU+，性能提升 12%、功耗降低 15%

报道时间线

沿着报道，了解事件的不同侧面。

10月21日

08:00
IT之家
三星计划推出第二代 8LPU+，性能提升 12%、功耗降低 15%
三星晶圆代工部门计划扩展 8 纳米工艺，推出第二代 8LPU+ 平台；相较 8LPU，性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%。新平台继续采用 DUV 产线而不使用 EUV，并通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电，主要面向边缘 AI、机器人和汽车芯片。

本事件热度走势

可比范围当前: 9
可比范围峰值: 1010月21日 09:00
近 24 小时变化: –

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。