美光放弃4F² DRAM路线,转向6F²与3D
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美光放弃4F² DRAM路线,转向6F²与3D
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AI 综述
美光决定不采用未来的4F² DRAM单元架构,认为其缺乏实际密度优势,还会增加制造复杂度和成本,因此不将其纳入产品路线图。 美光将继续缩放现有的6F² DRAM,并计划通过先进光刻、新材料和晶圆键合推进工艺,同时开发多代3D DRAM;公司称1δ工艺计划于2027年下半年量产。
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最新进展10月22日 20:00
Micron放弃未来4F² DRAM,转向6F²缩放与3D DRAM报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
10月22日
- Tom’s HardwareMicron放弃未来4F² DRAM,转向6F²缩放与3D DRAM
Micron在经历数十年4F² DRAM研究后决定不采用该架构,认为其缺乏实际密度优势,并会增加制造复杂度和成本。公司将继续缩放6F² DRAM,计划采用先进光刻、新材料与晶圆键合,并开发多代3D DRAM;1δ工艺计划于2027年下半年进入量产。
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