研究人员将钨二碲单层原位转化为晶体管

Seok Young Min等人在钨二碲化物（WTe2）单层中通过选择性改性，原位制造出功能完整的MOSFET。研究者将顶层局部变为WOx绝缘层，并形成n型WS2与p型WSe2区域，无需嫁接不同材料，并提出其原子级制造可支持更高器件密度。