研究人员原位制造钨二碲化物晶体管

Seok Young Min等研究人员通过选择性改性，在钨二碲化物（WTe2）单层中直接制成功能完整的MOSFET，无需嫁接其他材料。 研究人员将单层顶部的局部区域转化为WOx绝缘层，并形成n型WS2与p型WSe2区域，从而构成晶体管各功能部分。Min等人称，这种原子级原位制造方法有望支持更高的器件密度。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。