路透：CXMT 预计年底前量产 HBM3E，良率仍低

据路透独家报道，CXMT 预计在未来两个月内，即今年年底前量产其首款 HBM3E 内存，公司于八月开始风险生产。其 HBM3E 良率仍低，已送样两个版本，报道称约 20%，前道约 30% 良率；每层仅用约 3000 个 TSV，性能更接近 SK hynix 上一代 HBM3 而非 HBM3E。短期内难以转向 12 层高容量配置，但国内芯片厂商对 HBM 需求迫切。