CXMT 预计2026年底量产HBM3E，良率仍低

据路透独家报道，CXMT 计划在两个月内、即 2026 年底前量产其首款 HBM3E 内存，公司已于八月开始风险生产。此前其规划为 2026 年底实现量产，与当前进展基本一致。 报道称 CXMT 的 HBM3E 良率仍低，已送样两个版本，综合良率约 20%，前道约 30%；每层仅用约 3000 个 TSV，路透消息人士称其性能更接近 SK hynix 上一代 HBM3 而非 HBM3E，短期内也难以转向 12 层高容量配置。但国内芯片厂商对 HBM 需求迫切。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。