研究人员实现二维半导体晶体的定点成核

KAIST与TDS Innovation团队在Nature发表研究，利用蚀刻通量将二维半导体晶体的成核位置抑制并集中到图案区域几何中心。研究人员用该工艺制造了MoS₂场效应晶体管，并在两厘米基底上报告400个图案位中397个形成单晶，良率达到99.3%；论文明确表示这还不是商业芯片生产示范。