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二维半导体实现图案区域定向成核
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AI 综述
2026年10月11日，The Register报道称，KAIST与TDS Innovation团队在《Nature》发表研究，利用蚀刻通量抑制二维半导体晶体的成核位置，并将其集中到图案区域的几何中心。研究团队采用该工艺制造MoS₂场效应晶体管；在两厘米基底上的400个图案位中，397个形成单晶，良率为99.3%。论文同时指出，该结果尚不属于商业芯片生产示范。
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最新进展10月11日 16:30
研究报告两厘米基底上图案成核良率达99.3%。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月11日
- The Register研究人员实现二维半导体晶体的定点成核
KAIST与TDS Innovation团队在Nature发表研究，利用蚀刻通量将二维半导体晶体的成核位置抑制并集中到图案区域几何中心。研究人员用该工艺制造了MoS₂场效应晶体管，并在两厘米基底上报告400个图案位中397个形成单晶，良率达到99.3%；论文明确表示这还不是商业芯片生产示范。
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当前热度 9·可比范围峰值 10（10月11日 17:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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