消息称三星电子计划明年初完成先进封装技术 3D Cube-H 开发

据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子计划明年初完成基于混合键合的先进封装技术 3D Cube-H 的开发，主要面向超高性能 AI 芯片。该公司此前已开发热压键合的 3D Cube-T，3D Cube-H 端子间距约 6μm，远小于 TC 键合的约 25μm，计划明年初完成首个设计套件后与潜在客户评估，若成功有望为代工业务带来大客户订单。