消息称三星计划明年初完成先进封装技术3D Cube-H开发

据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子计划明年初完成基于混合键合的先进封装技术 3D Cube-H 的开发，该技术主要面向超高性能 AI 芯片。 三星此前已开发基于热压键合的 3D Cube-T。3D Cube-H 的端子间距约 6μm，远小于 TC 键合的约 25μm。三星计划明年初完成首个设计套件后与潜在客户评估，若成功，有望为其代工业务带来大客户订单。

AI 根据报道生成 · 44 分钟前更新

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