华邦电子计划在第二代 14nm DRAM 工艺导入 EUV，预计 2030 年应用

华邦电子总经理陈沛铭表示，计划在企业第二代 14nm 级 DRAM 工艺中应用 EUV 光刻，若开发顺利预计 2030 年导入。公司已与 ASML 合作 3.5 年并派员培训，首台 EUV 光刻机交付约需 2 年；另通过高雄 Module 新建预算 713.63 亿新台币，并认为 2027~2028 年 AI 数据中心建设受政治环境影响有限，2029 年走向取决于 CSP 资金状况。