ASML 与蔡司称 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战是降低可用景深

ASML 与蔡司表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”的光学分辨率，并预计在 10 年左右面世。文章分析称，其主要挑战是更低的可用景深，需要更薄的光刻胶，并改进扫描设备聚焦控制、晶圆平整和工艺控制。