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Hyper NA EUV光刻机聚焦景深挑战
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AI 综述
2026年10月9日，ASML与蔡司表示，数值孔径达到或超过0.75的Hyper NA EUV光刻机，有望实现5纳米“半间距”的光学分辨率，并预计约10年后面世。报道援引双方说法称，该技术当前面临的主要挑战是进一步降低可用景深。为应对这一挑战，需要使用更薄的光刻胶，同时改进扫描设备的聚焦控制，并加强晶圆平整度及工艺控制。报道未披露具体研发节点或量产安排。
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最新进展10月9日 10:29
ASML与蔡司预计Hyper NA EUV光刻机约10年后面世。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月9日
- IT之家ASML 与蔡司称 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战是降低可用景深
ASML 与蔡司表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”的光学分辨率，并预计在 10 年左右面世。文章分析称，其主要挑战是更低的可用景深，需要更薄的光刻胶，并改进扫描设备聚焦控制、晶圆平整和工艺控制。
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