美光预告G11 NAND：堆叠超400层、密度约翻倍，计划2027H2爬坡产能

美光预告G11 NAND，计划于2027H2爬坡产能，闪存堆叠将超过400层，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的两倍。产品还将采用晶圆对晶圆键合技术，I/O速率最高提升至1.5倍，数据传输能耗减少25%以上，并展示两类AI-class数据中心级NAND设计。