美光预告G11 NAND及AI存储方案

美光预告G11 NAND闪存及面向AI数据中心的存储方案，计划于2027年下半年爬坡产能。产品将采用晶圆对晶圆键合，闪存堆叠超过400层，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的两倍，I/O速率最高提升至1.5倍，数据传输能耗降低25%以上。 美光还展示了两类AI-class数据中心级NAND设计，并称G11之后计划导入高迁移率材料，以进一步提升单元密度和节能表现。这些均为美光公布的路线图，尚未说明量产规模、具体产品型号及上市时间。

AI 根据报道生成 · 1 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。