前英特尔CEO基辛格批评HBM位密度与散热短板

前英特尔CEO帕特·基辛格在a16z专访中再次批评高带宽内存（HBM），称其位密度低，并受带宽、功耗、散热及“海岸线带宽”限制，称其为“糟糕的内存”。HBM3/3E总线宽度为1,024位，HBM4增至2,048位；当HBM功耗超过约30瓦时，GPU或ASIC与HBM堆栈间的PHY自身发热会成为主要热应力来源。