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基辛格批评HBM密度与散热瓶颈
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AI 综述
2026年10月14日，前英特尔CEO帕特·基辛格在a16z专访中再次批评高带宽内存（HBM），称其位密度低，并受到带宽、功耗、散热以及“海岸线带宽”限制，因此将其称为“糟糕的内存”。报道指出，HBM3和HBM3E的总线宽度为1,024位，HBM4增至2,048位；当HBM功耗超过约30瓦时，GPU或ASIC与HBM堆栈之间的PHY自身发热，会成为主要热应力来源。
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最新进展10月14日 15:47
基辛格将HBM位密度低及高功耗下的PHY散热问题列为主要短板。报道时间线
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10月14日
- IT之家前英特尔CEO基辛格批评HBM位密度与散热短板
前英特尔CEO帕特·基辛格在a16z专访中再次批评高带宽内存（HBM），称其位密度低，并受带宽、功耗、散热及“海岸线带宽”限制，称其为“糟糕的内存”。HBM3/3E总线宽度为1,024位，HBM4增至2,048位；当HBM功耗超过约30瓦时，GPU或ASIC与HBM堆栈间的PHY自身发热会成为主要热应力来源。
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