消息称佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%

佳能计划到2029年将面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前提升50%。佳能正开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并已开发可处理510×515mm基板、分辨率达0.8μm的大尺寸基板光刻机台。三浦圣表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。