佳能拟扩大后端光刻机产能
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佳能拟扩大后端光刻机产能
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佳能计划到2029年将面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前提高50%，目前该计划仍在推进中。公司正开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并已开发出可处理510×515毫米基板、分辨率达0.8微米的大尺寸基板光刻机台。 佳能三浦圣表示，无掩膜直写图案化方案目前不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。
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最新进展10月21日 11:34
消息称佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%报道时间线
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10月21日
- IT之家消息称佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%
佳能计划到2029年将面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前提升50%。佳能正开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并已开发可处理510×515mm基板、分辨率达0.8μm的大尺寸基板光刻机台。三浦圣表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。
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