三星拟采用台积电3nm工艺生产英伟达下一代HBM基底裸片

三星电子将采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制HBM NVHBM生产基底裸片。三星已接受英伟达要求，核心裸片拟统一采用1c第六代DRAM工艺；面向AMD等客户的标准HBM仍保留一站式全包方案。