三星拟用台积电3nm生产NVHBM基底裸片

业内消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光采用台积电3纳米工艺，为下一代定制HBM（NVHBM）制造基底裸片，并统一采用代号1c的第六代DRAM工艺；三星拟接受这一安排。 这项分工仅涉及英伟达定制产品。三星面向标准HBM及AMD等其他客户的定制HBM，仍计划延续一站式全包生产模式。

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