英飞凌在量产晶圆厂环境全球率先产出 300 毫米功率 SiC 器件

英飞凌在奥地利菲拉赫工厂利用现有硅制造设备，将 300 毫米碳化硅晶圆加工成可工作的功率器件，是首家在完整晶圆厂环境中实现这一里程碑的公司。相比 200 毫米晶圆，300 毫米晶圆单片可多产出 2.3 倍芯片，量产爬坡计划将与客户伙伴协商。公司还在德累斯顿验证了 Cold Split 技术在 300 毫米 SiC 上的可行性，CoolSiC 产品面向汽车、可再生能源、工业和 AI 数据中心应用。