英飞凌在菲拉赫工厂率先产出300mm碳化硅功率器件
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英飞凌在菲拉赫工厂率先产出300mm碳化硅功率器件
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英飞凌宣布在奥地利菲拉赫工厂利用现有硅制造设备，将300毫米碳化硅晶圆加工成可工作的功率器件，自称是首家在完整量产晶圆厂环境中实现这一里程碑的公司。 相比200毫米晶圆，300毫米晶圆单片可产出约2.3倍的芯片。量产爬坡时间表将与客户伙伴协商确定，同时英飞凌会继续推进200毫米SiC制造路线。公司另在德国德累斯顿验证了Cold Split技术在300毫米SiC上的可行性。CoolSiC产品面向汽车、可再生能源、工业和AI数据中心应用。
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最新进展11月10日 01:45
英飞凌在量产晶圆厂环境全球率先产出 300 毫米功率 SiC 器件报道时间线
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11月10日
- TechPowerUp英飞凌在量产晶圆厂环境全球率先产出 300 毫米功率 SiC 器件
英飞凌在奥地利菲拉赫工厂利用现有硅制造设备，将 300 毫米碳化硅晶圆加工成可工作的功率器件，是首家在完整晶圆厂环境中实现这一里程碑的公司。相比 200 毫米晶圆，300 毫米晶圆单片可多产出 2.3 倍芯片，量产爬坡计划将与客户伙伴协商。公司还在德累斯顿验证了 Cold Split 技术在 300 毫米 SiC 上的可行性，CoolSiC 产品面向汽车、可再生能源、工业和 AI 数据中心应用。
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