消息称长江存储计划在武汉建第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争达 70%

据路透社援引知情人士报道，长江存储计划在武汉建设第四座 NAND 工厂，生产垂直堆叠超过 300 层的最先进 NAND 芯片，预计明年动工。新工厂国产设备采购比例计划设定为至少 60%、力争 70%，目前仅与供应商初步讨论、尚未正式下单。北方华创、中微半导体等厂商有望受益，新增设备集中在晶圆清洗、抛光和刻蚀等常规工艺环节。