长江存储拟在武汉建第四座NAND工厂，国产设备占比力争70%

据路透社援引知情人士报道，长江存储计划在武汉建设第四座 NAND 工厂，生产垂直堆叠超过 300 层的最先进 NAND 芯片，预计明年动工。 新工厂国产设备采购比例计划设定为至少 60%、力争 70%，新增设备集中在晶圆清洗、抛光和刻蚀等常规工艺环节，北方华创、中微半导体等厂商有望受益。目前长江存储仅与供应商初步讨论，尚未正式下达订单。

AI 根据报道生成 · 26 分钟前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。