GlobalFoundries披露FDX Fusion工艺细节
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GlobalFoundries披露FDX Fusion工艺细节
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GlobalFoundries FD-SOI 业务部门副总裁 Sudipto Bose 接受 Tom's Hardware 采访，披露 FDX Fusion 工艺细节：该工艺基于平面 FD-SOI 晶体管，无需 EUV 光刻即可实现 8nm 级逻辑密度（1400 万门/mm²，约 56 MTr/mm²）和 7nm 级功耗与性能。这些是厂商在访谈中的说法，尚未经量产验证。 路线图方面，公司计划 2027 年年中发布首个 FDX Fusion PDK，2028 年开始客户生产，2030 年实现大批量制造，全部在德累斯顿进行。
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11月6日
- Tom’s HardwareGlobalFoundries 副总裁详解 FDX Fusion：无 EUV 实现 7nm 级性能，目标 2030 年量产
GlobalFoundries FD-SOI 业务部门副总裁 Sudipto Bose 接受 Tom's Hardware 采访，详解 FDX Fusion 工艺：基于平面 FD-SOI 晶体管，无需 EUV 光刻即可实现 8nm 级逻辑密度（1400 万门/mm²，约 56 MTr/mm²）和 7nm 级功耗与性能。
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