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英飞凌将在奥地利建12英寸氮化镓晶圆厂,2027年底投产

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英飞凌宣布在欧洲建设全球首个12英寸(300mm)氮化镓功率半导体大规模量产晶圆厂,选址为奥地利Villach,计划2027年底投产。公司拟在2034年前投资约11亿欧元升级当地现有洁净室设施,欧盟委员会已批准为该扩产计划提供3.19亿欧元国家援助。 据英飞凌介绍,12英寸晶圆单片芯片产出是8英寸晶圆的2.3倍。

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10月27日
  1. IT之家
    英飞凌宣布在欧洲建设全球首个 12 英寸氮化镓功率半导体量产晶圆厂

    Infineon(英飞凌)宣布将在欧洲建设全球首个用于生产氮化镓(GaN)功率半导体的 300mm(12 英寸)大规模量产晶圆厂,计划 2027 年底投产。公司拟在 2034 年前投资约 11 亿欧元升级奥地利 Villach 现有洁净室设施,欧盟委员会已批准为该扩产计划授予 3.19 亿欧元国家援助。原文称 12 英寸晶圆单片芯片产出是 8 英寸晶圆的 2.3 倍。

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