DUV多重曝光推高中国芯片制造成本

Tom’s Hardware的分析认为，在ASML EUV设备受出口限制的情况下，中国芯片厂商依靠DUV多重曝光推进先进工艺，但每次曝光都需精准套刻，代价是芯片面积扩大、良率下降和制造周期延长，不能只看“7nm”等节点名称判断实际密度。 报道以中芯国际的7nm级及后续工艺、长鑫存储的DRAM效率差距说明这一代价；美光则证明DUV仍可支撑有竞争力的存储芯片，但受访专家认为，若缺少EUV，3nm或2nm将难以实现经济化生产。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。