美光放弃4F² DRAM规模化路线

美光在年度技术网络研讨会上表示，4F² DRAM因复杂度和成本不足，已没有可行的规模化路径，未来将转向3D DRAM路线。 美光披露，1δ节点已进入良率爬坡阶段，预计可带来约25%的代际存储密度提升；1ε计划引入晶圆键合，ζÅ节点则处于早期开发阶段，并将导入High NA EUV。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。