美光计划2028年推出两款3DS内存
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美光计划2028年推出两款3DS内存
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AI 综述
美光预计在2028年标准HBM5面世时推出垂直堆叠内存vHBM和边缘推理内存vEIM，目前公布的仍是产品规划。vHBM用于计算芯片的垂直堆叠，并可与标准2.5D HBM共存；vEIM结构与之类似，面向端侧AI推理。 美光称，两款产品将采用无凸块混合键合技术并导入集成散热方案。vEIM初代目标是达到2TB/s带宽和低于1pj/bit的能效。
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最新进展10月22日 09:45
美光预计2028年推出计算芯片垂直堆叠vHBM与边缘推理vEIM报道时间线
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10月22日
- IT之家美光预计2028年推出计算芯片垂直堆叠vHBM与边缘推理vEIM
美光预计在2028年标准HBM5面世时推出vHBM和vEIM两种新型3DS内存，分别面向计算芯片垂直堆叠与端侧AI推理。vEIM初代目标为2TB/s带宽和低于1pj/bit能效，两种产品计划采用无凸块混合键合技术并导入集成散热方案。
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